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软件【图文导读】图1. 2D材料基忆阻器及其开关机制总览图图2. Ag/GO/ITO器件的双极开关特性(a,b)Ag/GO/ITO器件的光学照片及I-V曲线。【引言】在当今的大数据时代，全面庞大的数据量要求下一代非易失性存储器（NVM）技术具备存储容量大和读写速度快等特点。

风险方案(c)Vset值与材料厚度的对应关系。【小结】本文总结了诸如石墨烯、管理TMDs、BN、黑磷、钙钛矿和GaSe等二维材料在忆阻器领域中的应用，并分别对其二维系统的结构和特性进行了分析。解决(i-o)Ti3C2Tx薄片在原始状态和LRS下的XPS深度剖析图。

(c，获评d)线性及非线性导通态MLG/TaOy/Ta2O5–x/MLG器件的双极RS特性曲线。图6. MoTe2基忆阻器的基本特性(a)MoTe2垂直器件图示及光学、推荐SEM图像。

以第一和通信作者发表论文超过60余篇，品牌包括Adv.Mater.,Adv.Funct.Mater.,Adv.Sci.,Mater.Horiz.等权威杂志。

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